北京大学沈波、许福军团队针对大失配异质外延导致氮化物宽禁带半导体高缺点密度的难题，立异开展了一种根据纳米图形化AlN/蓝宝石模板的“可控离散和可控聚合”侧向外延办法，使蓝宝石衬底上AlN外延薄膜位错腐蚀坑密度大幅度下降了两个量级，至~104cm-2，完成了挨近衬底级晶体质量的AlN外延薄膜，并使用于相关器材研发。
我国科学院半导体研讨所李明研讨员-祝宁华院士团队凭借空-时改换结合波分复用技能，选用多模干与机理，成功研发了一款超高集成度光学卷积处理芯片，发明晰现在光核算芯片最高算力密度记载，该芯片调控单元数量随矩阵规划呈线性增加，有用缓解了光核算芯片规划扩展的难题，为处理光核算芯片大规划集成探究了一个新的方向。
王怅然（南京大学/姑苏实验室）、施毅（南京大学）和王金兰（东南大学）教授带领的协作团队提出能带杂化增强欧姆触摸新机理，使用半金属触摸，成功将单原子层MoS2触摸电阻下降至42 Ω·μm，初次低于化学键结合的硅基器材并挨近理论量子极限，从而完成了单层二维半导体晶体管最高电流记载。
该效果发表于《天然》杂志（Nature, 2023, 613: 274–279），一起当选了ESI热门和高被引论文。
北京大学彭海琳教授团队完成了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延成长及其三维架构的异质集成，并研发了高功用二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET）。该原创性作业打破了后摩尔年代高速低功耗芯片的二维半导体/高κ栅介质精准组成与新架构三维异质集成瓶颈，为开发未来先进芯片技能带来新机遇。
北京大学彭练矛院士、邱晨光研讨员团队构筑了10纳米弹道二维硒化铟晶体管，发明性的开发了稀土元素钇掺杂诱导二维相变技能，初次推动二维晶体管实践功用超越业界先进节点硅基Fin晶体管和IRDS猜测的硅极限，而且将二维晶体管的作业电压降到0.5 V，室温弹道率达83%，为世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。
我国科学院上海微体系与信息技能研讨所刘正新、狄增峰团队针对传统单晶硅太阳电池易碎的缺点，经过介观对称性结构规划，开发了边际油滑处理技能，在世界上首先发明晰柔性单晶硅太阳电池技能，完成了力学耐性和抗震性的跨越式提高，制备的轻质柔性组件成功使用于接近空间飞行器，将极大地拓荒单晶硅太阳电池新的使用领域。
我国科学院上海技能物理研讨所红外科学与技能要点实验室胡伟达、苗金水研讨团队在世界上初次提出了根据离子-电子耦合效应的感存算一体光电探测器，经过模仿人类视觉感知架构，完成了感知端光电信息处理功用，可处理红外感知分立架构发生的推迟和功耗问题，为大规划硬件集成感存算光电感知芯片及其方针辨认使用奠定了根底。
清华大学钱鹤、吴华强研讨团队在世界上初次完成了全体系集成、支撑高效片上学习的忆阻器存算一体芯片，经过一种根据符号和阈值的权重更新算法及硬件架构，处理了传统CMOS电路与忆阻器适配性差的问题，并使芯片在增量学习使命中的功耗仅有传统硬件的1/35，为边际端人工智能硬件渠道供给了一种新的高能效处理方案。
清华大学戴琼海、方璐、乔飞、吴嘉敏协作攻关，建立了大规划可重构光电智能核算架构，结合光核算和模仿电子核算技能，打破传统芯片架构中数据转化速度、精度与功耗彼此限制的瓶颈，研发了全模仿光电智能核算芯片ACCEL。与现有高功用芯片比较，算力提高千倍，能效提高百万倍。该芯片将在无人体系和智能大模型等完成使用。
清华大学尹首一教授、魏少军教授及香港科技大学涂锋斌教授团队提出可统筹能效、精度和灵活性的AI芯片新范式——可重构数字存算一体架构，规划出世界首款面向通用云端高算力场景的存算一体AI芯片ReDCIM（Reconfigurable Digital Computing-In-Memory）。该芯片初次在存算一体架构上支撑高精度浮点与整数核算，可满意数据中心级的云端AI推理和练习等各种使用场景需求。
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